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Growth of tantalum nitride films on Si by radio frequency reactive sputtering : Effect of N2/Ar flow ratio
von
LIN, J.-C
,
CHEN, G
,
CHIAPING LEE
Veröffentlicht in
Journal of the Electrochemical Society
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Artikel
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Copper Thermal Diffusion in TaN Film on Si Substrate
von
Jiang, Lei
,
He, Ping
,
He, Guowei
,
Zong, Xiangfu
,
Lee, Chiaping
Veröffentlicht in
Japanese Journal of Applied Physics
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Artikel
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Japanese Journal Of Applied Physics
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Japanese Journal Of Applied Physics. Part. 1, Regular Papers, Brief Communications & Review Papers
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Journal Of The Electrochemical Society
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Jpn.j.appl.phys ,Part 1. Vol. 41, No. 11A, Pp. 6525-6528. 2002
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Schlagworte
Physics
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Barrier Layer
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Institute Of Physics Iopscience Extra
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