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State memory in solution gated epitaxial graphene
Veröffentlicht in Applied surface science
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Size confinement effect in graphene grown on 6H-SiC (0001) substrate
Veröffentlicht in Carbon (New York)
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Intercalation of Iron Atoms under Graphene Formed on Silicon Carbide
Veröffentlicht in Physics of the solid state
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A study of the intermediate layer in 3C–SiC/6H–SiC heterostructures
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Optical Characterization of Compensating Defects in Cubic SiC
Veröffentlicht in Materials science forum
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Investigation of the transition layer in 3C-SiC/6i/-SiC heterostructures
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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Highly doped p-type 3C–SiC on 6H–SiC substrates
Veröffentlicht in Semiconductor science and technology
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