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Electron mobility enhancement in n-GaN under Ohmic-metal
Veröffentlicht in AIP advances
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Low-frequency noise in InAs films bonded on low- k flexible substrates
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Electron mobility anisotropy in InAs/GaAs(001) heterostructures
Veröffentlicht in Applied physics letters
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An InAs/high-k/low-k structure: Electron transport and interface analysis
Veröffentlicht in AIP advances
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Mg-doping and free-hole properties of hot-wall MOCVD GaN
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Mg-doping and free-hole properties of hot-wall MOCVD GaN
Veröffentlicht in arXiv.org
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An investigation on verbal bullying among Danang high school students
Veröffentlicht in Tạp chí Khoa học và Công nghe
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An InAs/high-k/low-k structure: Electrontransport and interface analysis
Veröffentlicht in AIP advances
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Electron transport in InAs/high-k/low-k structures
Veröffentlicht in JSAP Annual Meetings Extended Abstracts
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