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1
Influence of Structural Defects on the Polishing of Silicon Carbide Single Crystal Wafers
von
Bondokov, Robert T.
,
Lashkov, Tsanko
,
Sudarshan, Tangali S.
Veröffentlicht in
Japanese Journal of Applied Physics
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Artikel
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A Method for Defect Delineation in Silicon Carbide Using Potassium Hydroxide Vapor
von
Bondokov, Robert T.
,
Khlebnikov, Igor I.
,
Lashkov, Tsanko
,
Tupitsyn, Eugene
,
Stratiy, Georgiy
,
Khlebnikov, Yuri
,
Sudarshan, Tangali S.
Veröffentlicht in
Japanese Journal of Applied Physics
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Japanese Journal Of Applied Physics, Part 1: Regular Papers And Short Notes And Review Papers
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Japanese Journal Of Applied Physics. Part. 1, Regular Papers, Brief Communications & Review Papers
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Japanese Journal Of Applied Physics, Part 1
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Jpn.j.appl.phys ,Part 1. Vol. 43, No. 1, Pp. 43-49. 2004
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Etching
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Physics
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Silicon Carbide
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Dislocation
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Koh
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Micropipe
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Polishing
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Roughness
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Von:
Bis:
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Institute Of Physics (Iop) Journals - Heal-Link
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Iopscience Extra
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