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Photoluminescence and transport studies of boron in 4H SiC
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Growth of high quality 6H-SiC epitaxial films on vicinal (0001) 6H-SiC wafers
Veröffentlicht in Applied physics letters
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SiC Dopant Incorporation Control Using Site-Competition CVD
Veröffentlicht in physica status solidi (b)
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Process-Induced Morphological Defects in Epitaxial CVD Silicon Carbide
Veröffentlicht in physica status solidi (b)
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Growth of improved quality 3C-SiC films on 6H-SiC substrates
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Aluminum acceptor four particle bound exciton complex in 4H, 6H, and 3C SiC
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Atomic probe microscopy of 3C SiC films grown on 6H SiC substrates
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Chemical vapor deposition of silicon carbide from 1,3-disilacyclobutane
Veröffentlicht in Chemistry of materials
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Evidence for Phosphorus on Carbon and Silicon Sites in 6H and 4H SiC
Veröffentlicht in Materials science forum
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Phosphorus Four Particle Donor Bound Exciton Complex in 6H SiC
Veröffentlicht in Materials science forum
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Optical Properties of Silicon Carbide: Some Recent Developments
Veröffentlicht in Materials science forum
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