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Defect structure in heteroepitaxial semipolar () (Ga, Al)N
Veröffentlicht in Journal of physics. Condensed matter
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Plasma-assisted molecular-beam epitaxy of AlN(112¯2) on m sapphire
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Interfacial structure of semipolar AlN grown on m-plane sapphire by MBE
Veröffentlicht in physica status solidi (b)
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Mg doping and its effect on the semipolar GaN ( 11 2 ¯ 2 ) growth kinetics
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Stranski-Krastanow growth of ( 11 2 ¯ 2 ) -oriented GaN/AlN quantum dots
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Plasma-assisted molecular-beam epitaxy of Al N ( 11 2 ¯ 2 ) on m sapphire
Veröffentlicht in Applied physics letters
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