-
1
A Unified Analytic Drain-Current Model for Multiple-Gate MOSFETs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
2
-
3
Analytic Charge Model for Surrounding-Gate MOSFETs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
4
On the scaling limit of ultrathin SOI MOSFETs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
5
-
6
-
7
-
8
-
9
-
10
-
11
-
12
Effect of body doping on double-gate MOSFET characteristics
Veröffentlicht in Semiconductor science and technology
VolltextArtikel -
13
-
14
-
15
-
16
-
17
-
18
-
19
A new synthetic approach to phosphatidylethanolamine
Veröffentlicht in Chinese chemical letters
VolltextArtikel -
20