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METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SUCH A SEMICONDUCTOR DEVICE
von
LOO, JOSINE, J., G., P
,
VENEZIA, VINCENT, C
,
PONOMAREV, YOURI
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Method of manufacturing a semiconductor device and such a semiconductor device
von
LOO JOSINE J. G. P.,VENEZIA VINCENT C.,PONOMAREV YOURI
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3
METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SUCH A SEMICONDUCTOR DEVICE
von
LOO, JOSINE, J., G., P
,
VENEZIA, VINCENT, C
,
PONOMAREV, YOURI
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4
METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SUCH A SEMICONDUCTOR DEVICE
von
VENEZIA VINCENT C
,
LOO JOSINE J. G. P
,
PONOMAREV YOURI
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5
METHOD FOR THE MANUFACTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED THROUGH IT
von
LOO, JOSINE, J., G., P
,
PONOMAREV, YOURI, V
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6
METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SUCH A SEMICONDUCTOR DEVICE
von
LOO, JOSINE, J., G., P
,
VENEZIA, VINCENT, C
,
PONOMAREV, YOURI
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Patent
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7
Method to form high quality oxide layers of different thickness in one processing step
von
LOO JOSINE J. G. P.,PONOMAREV YOURI,SCHAIJK ROBERTUS T. F
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8
Method to form high quality oxide layers of different thickness in one processing step
von
SCHAIJK ROBERTUS T. F
,
LOO JOSINE J. G. P
,
PONOMAREV YOURI
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9
METHOD AND DEVICE TO FORM HIGH QUALITY OXIDE LAYERS OF DIFFERENT THICKNESS IN ONE PROCESSING STEP
von
LOO, JOSINE, J., G., P
,
PONOMAREV, YOURI
,
SCHAIJK, ROBERTUS, T., F
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10
METHOD FOR FORMING HIGH QUALITY OXIDE LAYERS OF DIFFERENT THICKNESS IN ONE PROCESSING STEP
von
LOO, JOSINE, J., G., P
,
PONOMAREV, YOURI
,
SCHAIJK, ROBERTUS, T., F
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Patent
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11
Method for forming high quality oxide layers of different thickness in one processing step
von
ROBERTUS T. F. SCHAIJK
,
YOURI PONOMAREV
,
JOSINE J. G. P. LOO
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12
METHOD AND DEVICE TO FORM HIGH QUALITY OXIDE LAYERS OF DIFFERENT THICKNESS IN ONE PROCESSING STEP
von
LOO, JOSINE, J., G., P
,
PONOMAREV, YOURI
,
SCHAIJK, ROBERTUS, T., F
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Patent
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13
METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE OBTAINED WITH SUCH A METHOD
von
RAVIT, CLAIRE
,
MAGNEE, PETRUS, H., C
,
DONKERS, JOHANNES, J., T., M
,
VERHEIJEN, MARCELINO, A
,
HIJZEN, ERWIN
,
LOO, JOSINE, J., G., P
,
PONOMAREV, YOURI
,
MEUNIER-BEILLARD, PHILIPPE
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Patent
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14
Advanced PMOS Device Architecture for Highly-Doped Ultra-Shallow Junctions
von
Surdeanu, Radu
,
Pawlak, Bartlomiej J.
,
Lindsay, Richard
,
Dal, Mark van
,
Doornbos, Gerben
,
Dachs, Charles J. J.
,
Ponomarev, Youri V.
,
Loo, Josine J. P.
,
Cubaynes, Florence N.
,
Henson, Kirklen
,
Verheijen, Marcel A.
,
Kaiser, Monja
,
Pages, Xavier
,
Stolk, Peter A.
,
Taylor, Bill
,
Jurczak, Malgorzata
Veröffentlicht in
Japanese Journal of Applied Physics
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Basic Electric Elements
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Technical Subjects Covered By Former Uspc Cross-Reference Art Collections [Xracs] And Digests
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Technical Subjects Covered By Former Uspc Cross-Reference Artcollections [Xracs] And Digests
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Co-Implantation
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Nisi
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Physics
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Pre-Amorphization
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Science & Technology
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Ultra-Shallow Junctions
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Usj
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Erscheinungsjahr
Von:
Bis:
Quelle
Esp@Cenet
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13
Institute Of Physics (Iop) Journals - Heal-Link
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Iopscience Extra
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