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Method of fabricating self-aligned source and drain contacts in a Double gate FET with controlled manufacturing of a thin Si or non-Si channel
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PONOMAREV, YOURI V
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LOO, JOSINE JOHANNA GERARDA PETRA
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Method of fabricating self-aligned source and drain contacts in a double gate FET with controlled manufacturing of a thin Si or non-Si channel
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Ponomarev, Youri V
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Method of fabricating self-aligned source and drain contacts in a double gate FET with controlled manufacturing of a thin Si or non-Si channel
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LOO JOSINE JOHANNA GERARDA PETRA
,
PONOMAREV YOURI V
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Method and device to form high quality oxide layers of different thickness in one processing step
von
LOO JOSINE JOHANNA GERARDA PETRA
,
SCHAIJK ROBERTUS THEODORUS FRANSISCUS
,
PONOMAREV YOURI
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Method for fabricating self-aligned source and drain contacts in a double gate FET with controlled manufacturing of a thin Si or non-Si channel
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PONOMAREV, YOURI V
,
LOO, JOSINE JOHANNA GERARDA PETRA
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Method of fabricating self-aligned source and drain contacts in a Double gate FET with controlled manufacturing of a thin Si or non-Si channel
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PONOMAREV, YOURI V
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Method to make markers for double gate SOI processing
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PONOMAREV, YOURI V
,
LOO, JOSINE JOHANNA GERARDA PETRA
,
LAIDLER, DAVID WILLIAM
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Method to make markers for doublegate SOI processing
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PONOMAREV, YOURI V
,
LOO, JOSINE JOHANNA GERARDA PETRA
,
LAIDER, DAVID WILLIAM
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Method to make markers for doublegate SOI processing
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PONOMAREV, YOURI V
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LOO, JOSINE JOHANNA GERARDA PETRA
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LAIDER, DAVID WILLIAM
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Method and device to form high quality oxide layers of different thickness in one processing step
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Method for fabricating self-aligned source and drain contacts in a double gate fet with controlled manufacturing of a thin Si or non-Si channel
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PONOMAREV, YOURI V
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PONOMAREV, YOURI V
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LAIDLER, DAVID WILLIAM
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Method and device to form high quality oxide layers of different thickness in one processing step
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LOO, JOSINE JOHANNA GERARDA PETRA
,
SCHAIJK, ROBERTUS THEODORUS FRANSISCUS VAN
,
PONOMAREV, YOURI
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