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Dipole-regulated bandgap and high electron mobility for bilayer Janus MoSiGeN4
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Influence of AlGaN back-barrier on irradiation tolerance of AlGaN/AlN/GaN HEMTs
Veröffentlicht in Physics letters. A
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α-In2Se3/Nb-doped MoSh2 heterojunction: a first-principles study
Veröffentlicht in Semiconductor science and technology
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