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An Analytical Charge Model for Double-Gate Tunnel FETs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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A Junctionless Nanowire Transistor With a Dual-Material Gate
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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1.3 kV Vertical GaN-Based Trench MOSFETs on 4-Inch Free Standing GaN Wafer
Veröffentlicht in Nanoscale research letters
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A Compact Model for Double-Gate Heterojunction Tunnel FETs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Compact Model for Double-Gate Tunnel FETs With Gate-Drain Underlap
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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A SPICE Model of Phase Change Memory for Neuromorphic Circuits
Veröffentlicht in IEEE access
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3-D Resistance Model for Phase-Change Memory Cell
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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