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Effect of Surface Oxidation on the Material Loss of InGaAs in Acidic Solutions
Veröffentlicht in Solid state phenomena
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Kinetic Study on the Si3N4 Etching in Superheated Water
Veröffentlicht in Solid state phenomena
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Highly Selective Etching of SiGe to Si for GAAFET
Veröffentlicht in Solid state phenomena
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Selective Si3N4 Etching for 3D NAND Integration by Using Low Concentration of H3PO4
Veröffentlicht in Solid state phenomena
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Reaction Kinetics of Poly-Si Etching in TMAH Solution
Veröffentlicht in Solid state phenomena
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Ion Implanted Photoresist Removal by Material Loss-Free Organic Solvent
Veröffentlicht in Solid state phenomena
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Toward the Surface Preparation of InGaAs for the Future CMOS Integration
Veröffentlicht in Solid state phenomena
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