Synergistic effect between histidine phosphate complex and hazelnut shell for flammability reduction of low-smoke emission epoxy resin von Salasinska, K., Celiński, M., Mizera, K., Kozikowski, P., Leszczyński, M.K., Gajek, A.

Volltext

Graded-index separate confinement heterostructure InGaN laser diodes von Stańczyk, S., Czyszanowski, T., Kafar, A., Goss, J., Grzanka, S., Grzanka, E., Czernecki, R., Bojarska, A., Targowski, G., Leszczyński, M., Suski, T., Kucharski, R., Perlin, P.

Volltext

Electrically driven terahertz radiation of 2DEG plasmons in AlGaN/GaN structures at 110 K temperature von Jakštas, V., Grigelionis, I., Janonis, V., Valušis, G., Kašalynas, I., Seniutinas, G., Juodkazis, S., Prystawko, P., Leszczyński, M.

Volltext

Electro-structural evolution and Schottky barrier height in annealed Au/Ni contacts onto p-GaN von Greco, G., Prystawko, P., Leszczyński, M., Lo Nigro, R., Raineri, V., Roccaforte, F.

Volltext

Critical issues for interfaces to p-type SiC and GaN in power devices von Roccaforte, F., Frazzetto, A., Greco, G., Giannazzo, F., Fiorenza, P., Nigro, R. Lo, Saggio, M., Leszczyński, M., Pristawko, P., Raineri, V.

Volltext

Cavity suppression in nitride based superluminescent diodes von Kafar, A., Stańczyk, S., Grzanka, S., Czernecki, R., Leszczyński, M., Suski, T., Perlin, P.

Volltext

Degradation mechanisms in InGaN laser diodes grown on bulk GaN crystals von Marona, L., Wisniewski, P., Prystawko, P., Grzegory, I., Suski, T., Porowski, S., Perlin, P., Czernecki, R., Leszczyński, M.

Volltext

Role of the electron blocking layer in the low-temperature collapse of electroluminescence in nitride light-emitting diodes von Grzanka, S., Franssen, G., Targowski, G., Krowicki, K., Suski, T., Czernecki, R., Perlin, P., Leszczyński, M.

Volltext

Homogenous indium distribution in InGaN/GaN laser active structure grown by LP-MOCVD on bulk GaN crystal revealed by transmission electron microscopy and x-ray diffraction von Kret, S, Dłużewski, P, Szczepańska, A, Żak, M, Czernecki, R, Kryśko, M, Leszczyński, M, Maciejewski, G

Volltext

Influence of GaN substrate miscut on the XRD quantification of plastic relaxation in InGaN von Moneta, J., Kryśko, M., Domagala, J.Z., Grzanka, E., Muziol, G., Siekacz, M., Leszczyński, M., Smalc-Koziorowska, J.

Volltext

Effect of efficiency "droop" in violet and blue InGaN laser diodes von Grzanka, S., Perlin, P., Czernecki, R., Marona, L., Boćkowski, M., Łucznik, B., Leszczyński, M., Suski, T.

Volltext

Correlation between luminescence and compositional striations in InGaN layers grown on miscut GaN substrates von Kryśko, M., Franssen, G., Suski, T., Albrecht, M., Łucznik, B., Grzegory, I., Krukowski, S., Czernecki, R., Grzanka, S., Makarowa, I., Leszczyński, M., Perlin, P.

Volltext

New approach to cathodoluminescence studies in application to InGaN/GaN laser diode degradation von PŁUSKA, M, CZERWINSKI, A, RATAJCZAK, J, KĄTCKI, J, MARONA, L, CZERNECKI, R, LESZCZYŃSKI, M, PERLIN, P

Volltext

The influence of lattice parameter variation on microstructure of GaN single crystals von Krysko, M., Sarzynski, M., Domagała, J., Grzegory, I., Łucznik, B., Kamler, G., Porowski, S., Leszczyński, M.

Volltext

Fabrication and properties of GaN-based lasers von Perlin, P., Świetlik, T., Marona, L., Czernecki, R., Suski, T., Leszczyński, M., Grzegory, I., Krukowski, S., Nowak, G., Kamler, G., Czerwinski, A., Plusa, M., Bednarek, M., Rybiński, J., Porowski, S.

Volltext

Role of dislocation-free GaN substrates in the growth of indium containing optoelectronic structures by plasma-assisted MBE von Skierbiszewski, C., Siekacz, M., Perlin, P., Feduniewicz-Żmuda, A., Cywiński, G., Grzegory, I., Leszczyński, M., Wasilewski, Z.R., Porowski, S.

Volltext

Mechanism of yellow luminescence in GaN von Suski, T., Perlin, P., Teisseyre, H., Leszczyński, M., Grzegory, I., Jun, J., Boćkowski, M., Porowski, S., Moustakas, T. D.

Volltext

AlGaN/GaN HEMT structures on ammono bulk GaN substrate von Kruszewski, P, Prystawko, P, Kasalynas, I, Nowakowska-Siwinska, A, Krysko, M, Plesiewicz, J, Smalc-Koziorowska, J, Dwilinski, R, Zajac, M, Kucharski, R, Leszczynski, M

Volltext

Laplace DLTS studies of the 0.25 eV electron trap properties in n-GaN von Kruszewski, P, Kaminski, P, Kozlowski, R, Zelazko, J, Czernecki, R, Leszczynski, M, Turos, A

Volltext

Anomalous temperature characteristics of single wide quantum well InGaN laser diode von Świetlik, T., Franssen, G., Wiśniewski, P., Krukowski, S., Łepkowski, S. P., Marona, L., Leszczyński, M., Prystawko, P., Grzegory, I., Suski, T., Porowski, S., Perlin, P., Czernecki, R., Bering-Staniszewska, A., Eliseev, P. G.

Volltext