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Punch-through in short-channel AlGaN/GaN HFETs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
VolltextArtikel -
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AlInN/AlN/GaN HEMT Technology on SiC With 10-W/mm and 50% PAE at 10 GHz
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
VolltextArtikel -
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Optical fiber systems are convectively unstable
Veröffentlicht in Physical review letters
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