Automated emissivity corrected wafer-temperature measurement in Aixtrons planetary reactors von Bergunde, T., Henninger, B., Lünenbürger, M., Heuken, M., Weyers, M., Zettler, J.-T.

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Real time monitoring of layer growth on planetary reactor ® by reflectance-anisotropy-spectroscopy von Habets, N., Schmitt, T., Deufel, M., Lünenbürger, M., Heuken, M., Juergensen, H.

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Blue InGaN/GaN multiple-quantum-well optically pumped lasers with emission wavelength in the spectral range of 450–470 nm von Yablonskii, G. P., Lutsenko, E. V., Pavlovskii, V. N., Marko, I. P., Gurskii, A. L., Zubialevich, V. Z., Mudryi, A. V., Schön, O., Protzmann, H., Lünenbürger, M., Schineller, B., Heuken, M., Kalisch, H., Heime, K.

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Structural and Optical Analysis of (In, Ga)N Structures Grown by MOCVD von Rudloff, D., Bläsing, J., Riemann, T., Christen, J., Krost, A., Lünenbürger, M., Protzmann, H., Heuken, M.

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Evaluation of strain and In content in (InGaN/GaN) multiquantum wells by x-ray analysis von Krost, A., Bläsing, J., Lünenbürger, M., Protzmann, H., Heuken, M.

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High-Temperature Lasing in InGaN/GaN Multiquantum Well Heterostructures von Marko, I.P., Lutsenko, E.V., Pavlovskii, V.N., Yablonskii, G.P., Schön, O., Protzmann, H., Lünenbürger, M., Heuken, M., Schneller, B., Heime, K.

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Influence of UV Light-Assisted Annealing on Optical Properties of InGaN/GaN Heterostructures Grown by MOVPE von Marko, I.P., Lutsenko, E.V., Pavlovskii, V.N., Yablonskii, G.P., Schön, O., Protzmann, H., Lünenbürger, M., Heuken, M., Schineller, B., Heime, K.

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Indium nanowires in thick (InGaN) layers as determined by x-ray analysis von Krost, A., Bläsing, J., Protzmann, H., Lünenbürger, M., Heuken, M.

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Multiple Quantum Well InGaN/GaN Blue Optically Pumped Lasers Operating in the Spectral Range of 450-470 nm von Yablonskii, G.P., Lutsenko, E.V., Pavlovskii, V.N., Marko, I.P., Gurskii, A.L., Zubialevich, V.Z., Schön, O., Protzmann, H., Lünenbürger, M., Schineller, B., Heuken, M.

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Stimulated Emission, Electro- and Photoluminescence of InGaN/GaN EL-Test and SQW Heterostructures Grown by MOVPE von Yablonskii, G.P., Lutsenko, E.V., Marko, I.P., Pavlovskii, V.N., Mudryi, A.V., Stognij, A.I., Schön, O., Protzmann, H., Lünenbürger, M., Schneller, B., Heuken, M., Heime, K.

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Optimized metalorganic vapour phase epitaxy of ZnMgSSe heterostructures von Kalisch, H., Lünenbürger, M., Hamadeh, H., Xu, J., Heuken, M.

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Characterization of ZnMgSSe/ZnSe quantum wells grown by MOVPE von Hamadeh, H., Lünenbürger, M., Kalisch, H., Heuken, M.

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In Situ Monitoring of GaN Growth in Multiwafer MOVPE Reactors von Lünenbürger, M., Protzmann, H., Heuken, M., Jürgensen, H.

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Mechanisms for spontaneous and stimulated recombination in multiple quantum wells of InGaN/GaN heterostructures on silicon substrates von Zubialevich, V. Z., Lutsenko, E. V., Pavlovskii, V. N., Gurskii, A. L., Danilchyk, A. V., Yablonskii, G. P., Danailov, M. B., Ressel, B., Demidovich, A. A., Woitok, J. F., Kalisch, H., Dikme, Y., Jansen, R. H., Lünenbürger, M., Schineller, B., Heuken, M.

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Band Fillling and Energy Relaxation in InGaN/GaN-Multiple Quantum Well Structures von Riemann, T., Rudloff, D., Christen, J., Krost, A., Lünenbürger, M., Protzmann, H., Heuken, M.

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Growth, Stimulated Emission, Photo- and Electroluminescence of InGaN/GaN EL-Test Heterostructures von Lutsenko, E.V., Pavlovskii, V.N., Zubialevich, V.Z., Stognij, A.I., Gurskii, A.L., Hryshanau, V.A., Shulenkov, A.S., Yablonskii, G.P., Schön, O., Protzmann, H., Lünenbürger, M., Schineller, B., Dikme, Y., Jansen, R.H., Heuken, M.

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Interface Treatment of GaN/InGaN-Multi Quantum Well Structures Grown in Production Type MOVPE Systems von Protzmann, H., Lünenbürger, M., Bläsing, J., Krost, A., Heuken, M., Jürgensen, H.

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Characterization of ZnMgSSe/ZnSe quantum wells grown by MOVPE von HAMADEH, H, LÜNENBÜRGER, M, KALISCH, H, HEUKEN, M

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Optimized metal organic vapour phase epitaxy of ZnMgSSe heterostructures von KALISCH, H, LÜNENBÜRGER, M, HAMADEH, H, XU, J, HEUKEN, M

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Characterization of ZnMgSSe/ZnSe quantum wells grown by MOVPE von Hamadeh, H

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