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Optimizing De-Trap Pulses in Gate-Injection Type Ferroelectric NAND Cells to Minimize Read After Write Delay Issue
von
Kim, Giuk
,
Choi, Hyojun
,
Cho, Hongrae
,
Lee, Sangho
,
Shin, Hunbeom
,
Kang, Hyunjun
,
Kim, Hoon
,
Shin, Seokjoong
,
Park, Seonjae
,
Kwon, Sunseong
,
Lim, Youngjin
,
Kim, Kang
,
Min Chung, Jong
,
Oh, Il-Kwon
,
Ko Park, Sang-Hee
,
Ahn, Jinho
,
Jeon, Sanghun
Veröffentlicht in
IEEE electron device letters
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