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    Isotropic interface roughness of pseudomorphic In0.74Ga0.26As/In0.52Al0.48As quantum wells grown on (411)A InP substrates by molecular beam epitaxy

    Isotropic interface roughness of pseudomorphic In0.74Ga0.26As/In0.52Al0.48As quantum wells grown on (411)A InP substrates by molecular beam epitaxy von Kitada, T., Kusuonki, S., Kinouchi, M., Morita, K., Isu, T., Shimomura, S.

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