Influence of Base Resistivity on Solar Cell Parameters of Double-Side Contacted Rear Junction Solar Cells von Mertens, V., Ballmann, T., Lee, J.Y., Junghänel, M., Stenzel, F., Brandt, L., Schulze, A., Engelhart, P., Müller, J.W., Wawer, P., Küsters, K.H.

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Electrical Properties of Ultra Thin Multilayer Dielectrics on Polysilicon von Hirschler, J., Thanh, L. Do, Kusters, K.H., Sichart, K. v.

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Photoplastic effect in silicon von Küsters, K.H., Alexander, H.

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Stacked Capacitor in Trench Cell for 16M-DRAM von Kusters, K.H., DoThanh, L., Stelz, F.X., Kellner, W.-U., Muhlhoff, H.M., Muller, W.

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Reduction of linewidth variation for the gate conductor level by lithography based on a new antireflective layer von Czech, G., Mader, L., Küsters, K.H., Küppers, P., Gutmann, A.

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Application of ion implantation in submicron CMOS processes von Küsters, K.H., Mühlhoff, H.M., Cerva, H.

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A Self Aligned Contact Process with Improved Surface Planarization von Kusters, K.H., Sesselmann, W., Melzner, H., Friesel, B.

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PRESS FOR PRODUCING CHIPBOARD AND SIMILAR MATERIALS von K. QUOOS, E. KUSTERS, K.H. AHRWEILER

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