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Characterization of nanocrystallites in porous p-type 6H-SiC
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Characterization of n-type beta -SiC as a piezoresistor
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Photoelectrochemical conductivity selective etch stops for SiC
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Dopant-selective etch stops in 6H and 3C SiC
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Direct observation of porous SiC formed by anodization in HF
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Photoelectrochemical etching of 6H-SiC
Veröffentlicht in Journal of the Electrochemical Society
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Infrared reflectance of thick p -type porous SiC layers
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Operation of α(6H)-SiC pressure sensor at 500 °C
Veröffentlicht in Sensors and actuators. A, Physical
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High temperature ohmic contact metallizations for n-type 3C-SiC
Veröffentlicht in Journal of the Electrochemical Society
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Effect of Dislocations on the Minority Carrier Lifetime in Semiconductors
Veröffentlicht in Physical review
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