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AlGaInAs/InP semiconductor lasers with an increased electron barrier
Veröffentlicht in Quantum electronics (Woodbury, N.Y.)
VolltextArtikel -
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Analysis of reliability of semiconductor emitters with different designs of cavities
Veröffentlicht in Technical physics
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High-power pulsed laser diodes emitting in the range 1.5 – 1.6 μm
Veröffentlicht in Quantum electronics (Woodbury, N.Y.)
VolltextArtikel -
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