Growth of thick semi-polar GaN crystal to improve crystalinity by Na-flux method von Kuramoto, Ryusei, Kim, DoHun, Yamada, Takumi, Murakami, Kosuke, Imanishi, Masayuki, Imade, Mamoru, Yoshimura, Masashi, Mori, Yusuke

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Effect of the oxygen concentration on electrical properties of GaN crystals grown the Na-flux method von Endo, Kiyoto, Yamada, Takumi, Kuramoto, Ryusei, Hayashi, Masatoshi, Kubo, Hitoshi, Maruyama, Mihoko, Murakami, Kosuke, Imanishi, Masayuki, Imade, Mamoru, Yoshimura, Masashi, Mori, Yusuke

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The blocking of dislocation propagation by bunched steps during Na-flux growth von Kuramoto, Ryusei, Imanishi, Masayuki, Honjo, Masatomo, Murakami, Kosuke, Imabayashi, Hiroki, Imade, Mamoru, Yoshimura, Masashi, Mori, Yusuke

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SEMICONDUCTOR DEVICE AND SWITCHING CIRCUIT von CHIKAMATSU KENTARO, SHINOZAKI YUICHI, KURAMOTO RYUSEI

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Naフラックス法で作製したGaN結晶における酸素濃度が電気特性に与える影響 von 遠藤, 清人, 山田, 拓海, 蔵本, 流星, 林, 正俊, 久保, 等, 丸山, 美帆子, 村上, 航介, 今西, 正幸, 今出, 完, 吉村, 政志, 森, 勇介

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高品質化に向けた半極性面GaN結晶のNaフラックス法による厚膜成長 von 蔵本, 流星, 金, 度勲, 山田, 拓海, 村上, 航介, 今西, 正幸, 今出, 完, 吉村, 政志, 森, 勇介

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Naフラックス法におけるステップバンチングを活用した転位伝播抑制 von 蔵本, 流星, 今西, 正幸, 本城, 正智, 村上, 航介, 今林, 弘毅, 今出, 完, 吉村, 政志, 森, 勇介

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