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GaN-based LEDs with Ar plasma treatment
Veröffentlicht in Materials science in semiconductor processing
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GaN-Based Light-Emitting Diodes Prepared With Shifted Laser Stealth Dicing
Veröffentlicht in Journal of display technology
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Nitride-Based LEDs With Phosphoric Acid Etched Undercut Sidewalls
Veröffentlicht in IEEE photonics technology letters
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Modeling the turn-off characteristics of the bipolar-MOS transistor
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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GaN-Based LEDs With Rough Surface and Selective KOH Etching
Veröffentlicht in Journal of display technology
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