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Quantum Modelling of Nanoscale Silicon Gate-All-Around Field Effect Transistor
Veröffentlicht in Journal of nano research
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Structure–compressibility correlation among MoBx
Veröffentlicht in The Journal of physics and chemistry of solids
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Analytical Quantum Model for Germanium Channel Gate-All-Around (GAA) MOSFET
Veröffentlicht in Journal of nano research
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Comparative Analysis of Various Parameters of Tri-Gate MOSFET with High-K Spacer
Veröffentlicht in Journal of nano research
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Phase transition and compressibility study of UOs2 under pressure
Veröffentlicht in Journal of nuclear materials
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Explicit Quantum Drain Current Model for Symmetric Double Gate MOSFETs
Veröffentlicht in Journal of nano research
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Stability of Dy6UO12 under high pressure and high temperature
Veröffentlicht in Journal of alloys and compounds
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Compressibility behavior of CoxB: Experiment and computation
Veröffentlicht in Physica. B, Condensed matter
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Comparative Quantum Analysis of Si/Ge Channel Tri-Gate Mosfets
Veröffentlicht in Journal of nano research
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