Improvement of luminescence properties of GaN buffer layer for fast nitride scintillator structures von Hubáček, T., Hospodková, A., Oswald, J., Kuldová, K., Pangrác, J.

Volltext

A secret luminescence killer in deepest QWs of InGaN/GaN multiple quantum well structures von Hospodková, A., Hájek, F., Pangrác, J., Slavická Zíková, M., Hubáček, T., Kuldová, K., Oswald, J., Vaněk, T., Vetushka, A., Čížek, J., Liedke, M.O., Butterling, M., Wagner, A.

Volltext

Quantum confinement in MOVPE-grown structures with self-assembled InAs/GaAs quantum dots von Kuldová, K, Molas, M, Borysiuk, J, Babiński, A, Výborný, Z, Pangrác, J, Oswald, J

Volltext

Improvement of luminescence properties of n-GaN using TEGa precursor von Hubáček, T., Hospodková, A., Kuldová, K., Slavická Zíková, M., Pangrác, J., Čížek, J., Liedke, M.O., Butterilng, M., Wagner, A., Hubík, P., Hulicius, E.

Volltext

Impact of Ge doping on MOVPE grown InGaN layers von Hubáček, T., Kuldová, K., Gedeonová, Z., Hájek, F., Košutová, T., Banerjee, S., Hubík, P., Pangrác, J., Vaněk, T., Hospodková, A.

Volltext

Growth and properties of the MOVPE GaAs/InAs/GaAsSb quantum dot structures von Hospodková, A., Oswald, J., Pangrác, J., Kuldová, K., Zíková, M., Vyskočil, J., Hulicius, E.

Volltext

Influence of Si doping of GaN layers surrounding InGaN quantum wells on structure photoluminescence properties von Zíková, M., Hospodková, A., Pangrác, J., Hubáček, T., Oswald, J., Kuldová, K., Hájek, F., Ledoux, G., Dujardin, C.

Volltext

Surface processes during growth of InAs/GaAs quantum dot structures monitored by reflectance anisotropy spectroscopy von Hospodková, A., Vyskočil, J., Pangrác, J., Oswald, J., Hulicius, E., Kuldová, K.

Volltext

Electro- and photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot structures von Oswald, J, Hazdra, P, Kuldová, K, Hospodková, A, Hulicius, E, Pangrác, J, Vyskočil, J

Volltext

Depth profile of acceptor concentration in InGaN/GaN multiple quantum wells von Hájek, F., Hospodková, A., Hubáček, T., Oswald, J., Pangrác, J., Dominec, F., Horešovský, R., Kuldová, K.

Volltext

On the correlations between the excitonic luminescence efficiency and the QW numbers in multiple InGaN/GaN QW structure von Hospodková, A., Oswald, J., Zíková, M., Pangrác, J., Kuldová, K., Blažek, K., Ledoux, G., Dujardin, C., Nikl, M.

Volltext

Strong suppression of In desorption from InGaN QW by improved technology of upper InGaN/GaN QW interface von Hubáček, T., Hospodková, A., Oswald, J., Kuldová, K., Pangrác, J., Zíková, M., Hájek, F., Dominec, F., Florini, N., Komninou, Ph, Ledoux, G., Dujardin, C.

Volltext

Type I-type II band alignment of a GaAsSb/InAs/GaAs quantum dot heterostructure influenced by dot size and strain-reducing layer composition von Hospodková, A, Zíková, M, Pangrác, J, Oswald, J, Kubištová, J, Kuldová, K, Hazdra, P, Hulicius, E

Volltext

InAs/GaAs quantum dot structures emitting in the 1.55 μm band von Hazdra, P, Oswald, J, Komarnitskyy, V, Kuldová, K, Hospodková, A, Vyskočil, J, Hulicius, E, Pangrác, J

Volltext

Combined vertically correlated InAs and GaAsSb quantum dots separated by triangular GaAsSb barrier von Hospodková, A., Oswald, J., Pangrác, J., Zíková, M., Kubištová, J., Komninou, Ph, Kioseoglou, J., Kuldová, K., Hulicius, E.

Volltext

Influence of capping layer on the properties of MOVPE-grown InAs/GaAs quantum dots von Hospodková, A., Pangrác, J., Oswald, J., Hulicius, E., Kuldová, K., Vyskočil, J., Melichar, K., Šimeček, T.

Volltext

Photoluminescence and magnetophotoluminescence of vertically stacked InAs/GaAs quantum dot structures von Hospodková, A., Křápek, V., Kuldová, K., Humlíček, J., Hulicius, E., Oswald, J., Pangrác, J., Zeman, J.

Volltext

Double-exponential decay of orientational correlations in semiflexible polyelectrolytes von BACOVA, P, KOSOVAN, P, UHLIK, F, KULDOVA, J, LIMPOUCHOVA, Z, PROCHAZKA, K

Volltext

InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots von Hospodková, A., Hulicius, E., Pangrác, J., Oswald, J., Vyskočil, J., Kuldová, K., Šimeček, T., Hazdra, P., Caha, O.

Volltext

InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime von Hospodková, A., Pangrác, J., Vyskočil, J., Oswald, J., Vetushka, A., Caha, O., Hazdra, P., Kuldová, K., Hulicius, E.

Volltext