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50-nm Metamorphic High-Electron-Mobility Transistors With High Gain and High Breakdown Voltages
von
Dong Xu
,
Kong, W.M.T.
,
Xiaoping Yang
,
Mohnkern, L.
,
Seekell, P.
,
Mt. Pleasant, L.
,
Duh, K.G.
,
Smith, P.M.
,
Pane-Chane Chao
Veröffentlicht in
IEEE electron device letters
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Wideband medium power amplifiers using a short gate-length GaAs MMIC process
von
Morgan, M.
,
Bryerton, E.
,
Karimy, H.
,
Dugas, D.
,
Gunter, L.
,
Kuanghann Duh
,
Xiaoping Yang
,
Smith, P.
,
Chao, P.-C.
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