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    Electroluminescence at 1.54 μm in Si:Er/Si structures grown by sublimation molecular-beam epitaxy

    Electroluminescence at 1.54 μm in Si:Er/Si structures grown by sublimation molecular-beam epitaxy von Kuznetsov, V. P., Remizov, D. Yu, Shabanov, V. N., Rubtsova, R. A., Stepikhova, M. V., Kryzhov, D. I., Shushunov, A. N., Belova, O. V., Krasil’nik, Z. F., Maksimov, G. A.

    Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)

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    Electroluminescence at 1.54 {mu}m in Si:Er/Si structures grown by sublimation molecular-beam epitaxy

    Electroluminescence at 1.54 {mu}m in Si:Er/Si structures grown by sublimation molecular-beam epitaxy von Kuznetsov, V. P., Remizov, D. Yu, Shabanov, V. N., Rubtsova, R. A., Stepikhova, M. V., Kryzhov, D. I., Shushunov, A. N., Belova, O. V., Krasil'nik, Z. F., Maksimov, G. A.

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