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Trap parameters in the infrared InAsSb absorber found by capacitance and noise measurements
von
Ciura, Lukasz
,
Kolek, Andrzej
,
Gomó ka, Emilia
,
Murawski, Krzysztof
,
Kopytko, Ma gorzata
,
Martyniuk, Piotr
,
Rogalski, Antoni
Veröffentlicht in
Semiconductor science and technology
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