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AlN/GaN HEMTs grown by MBE and MOCVD: Impact of Al distribution
Veröffentlicht in physica status solidi (b)
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AlGaN-Based 355 nm UV Light-Emitting Diodes with High Power Efficiency
Veröffentlicht in Applied physics express
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High Power Efficiency AlGaN-Based Ultraviolet Light-Emitting Diodes
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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AlGaN/GaN epitaxy and technology
Veröffentlicht in International journal of microwave and wireless technologies
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Determination of the surface potential of GaN:Si
Veröffentlicht in Physica status solidi. C
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