GaAs-Feldeffekttransistoren von Kellner, W, Kniepkamp, H

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Safety of lyodura von Kniepkamp, H.E.

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GaAs-Feldeffekttransistoren von Kellner, Walter, Kniepkamp, Hermann

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An e-beam comb-probe printer for nanolithography von Lischke, B., Christaller, G., Herrmann, K.H., Heuberger, A., Knapek, E., Kniepkamp, H., Rose, H., Rüttenauer, W., Siegel, G.

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Performance comparison of highly integrated circuits: Silicon NMOS versus gallium arsenide normally-off MESFET technology von Gesch, H., Kellner, W., Kniepkamp, H.

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GaAs FET upconverter for TV tuner von Ablassmeier, U., Kellner, W., Kniepkamp, H.

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Three-phase GaAs Schottky-barrier CCD operated up to 100-MHz clock frequency von Ablassmeier, U., Kellner, W., Herbst, H., Kniepkamp, H.

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Doping of semi-insulating and n -type GaAs by neutron transmutation von Mueller, J.-E., Kellner, W., Kniepkamp, H., Haas, E. W., Fischer, G.

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Design considerations for planar Schottky barrier diodes von Kellner, W., Enders, N., Ristow, D., Kniepkamp, H.

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Microwave field-effect transistors from sulphur-implanted GaAs von Kellner, W., Kniepkamp, H., Ristow, D., Heinzle, M., Boroffka, H.

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SE376115 von KNIEPKAMP H

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SCHOTTKY CONTACTS von KNIEPKAMP H

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METHOD OF PRODUCING SCHOTTKY CONTACTS von KNIEPKAMP H

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A two-phase CCD on GaAs with 0.3-mum-wide electrode gaps von Kellner, W, Ablassmeier, U, Kniepkamp, H

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A two-phase CCD on GaAs with 0.3-micron-wide electrode gaps von Kellner, W, ABLASSMEIER, U, Kniepkamp, H

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A two-phase CCD on GaAs with 0.3-µm-wide electrode gaps von Kellner, W., Ablassmeier, U., Kniepkamp, H.

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DK517074 von WINSTEL G, KNIEPKAMP H

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METAL-SEMICONDUCTOR SMALL-SURFACE CONTACTS von KNIEPKAMP H,DT

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METHOD OF PRODUCING SCHOTTKY CONTACTS von KNIEPKAMP H,DT

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METHOD OF PRODUCING THICK SCHOTTKY-BARRIER CONTACTS von KNIEPKAMP H,DT

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