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Carrier lifetime variation in thick 4H-SiC epilayers using two-photon absorption
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Photoinduced tunability of the reststrahlen band in 4H-SiC
Veröffentlicht in Physical review. B
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Processing of Cavities in SiC Material for Quantum Technologies
Veröffentlicht in Materials science forum
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Single n-GaN microwire/p-Silicon thin film heterojunction light-emitting diode
Veröffentlicht in Optics express
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Temperature Dependence of the Carrier Lifetime in 4H-SiC Epilayers
Veröffentlicht in Materials science forum
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Impact of 4H-SiC Substrate Defectivity on Epilayer Injected Carrier Lifetimes
Veröffentlicht in Materials science forum
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Photoinduced tunability of the reststrahlen band in 4 H − SiC
Veröffentlicht in Physical review. B
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Nonequilibrium Carrier Recombination in Highly Excited Bulk SiC Crystals
Veröffentlicht in Materials science forum
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Long Carrier Lifetime in 4H-SiC Epilayers Using Chlorinated Precursors
Veröffentlicht in Materials science forum
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Variations in the Measured Carrier Lifetimes of n- 4H-SiC Epilayers
Veröffentlicht in Materials science forum
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Generation and Recombination Carrier Lifetimes in 4H SiC Epitaxial Wafers
Veröffentlicht in Materials science forum
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