23 and 39 GHz low phase noise monosection InAs/InP (113)B quantum dots mode-locked lasers von Klaime, K, Calò, C, Piron, R, Paranthoen, C, Thiam, D, Batte, T, Dehaese, O, Le Pouliquen, J, Loualiche, S, Le Corre, A, Merghem, K, Martinez, A, Ramdane, A

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41 GHz and 10.6 GHz low threshold and low noise InAs/InP quantum dash two-section mode-locked lasers in L band von Dontabactouny, M., Piron, R., Klaime, K., Chevalier, N., Tavernier, K., Loualiche, S., Le Corre, A., Larsson, D., Rosenberg, C., Semenova, E., Yvind, K.

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InAs/InP quantum dot mode-locked lasers grown on (113)B InP substrate von Klaime, K., Calo, C., Piron, R., Paranthoen, C., Thiam, D., Batte, T., Dehaese, O., Le Pouliquen, J., Loualiche, S., Le Corre, A., Merghem, K., Martinez, A., Ramdane, A.

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20 GHz to 83 GHz single section InAs/InP quantum dot mode-locked lasers grown on (001) misoriented substrate von Klaime, K., Piron, R., Paranthoen, C., Batte, T., Grillot, F., Dehaese, O., Loualiche, S., Le Corre, A., Rosales, R., Merghem, K., Martinez, A., Ramdane, A.

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