Investigation of the deuterium distribution in a JET limiter using the nuclear microprobe and ion beam slope cutting von Grambole, D., Herrmann, F., Klabes, R., Hauffe, W., Behrisch, R.

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Ion beam analysis of steel surfaces modified by nitrogen ion implantation von Neelmeijer, C., Grötzschel, R., Hentschel, E., Klabes, R., Kolitsch, A., Richter, E.

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Study of carbon and oxygen incorporation in reactively sputtered Cr-Si-Al films using ERDA von Neelmeijer, C., Grötzschel, R., Klabes, R., Kreissig, U., Sobe, G.

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Elemental analysis of thin layers by elastic heavy ion scattering von Grötzschel, R., Hentschel, E., Klabes, R., Kreissig, U., Neelmeijer, C., Assmann, W., Behrisch, R.

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Simultaneous analysis of Li and B in amorphous thin film glasses using ERDA von Neelmeijer, C., Grötzschel, R., Klabes, R., Kreissig, U., Müller, W., Kruschke, D.

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Test of a new standard for fluorine determination with PIGE von Zschau, H.-E., Plier, F., Vogt, J., Otto, G., Duschner, H., Arends, J., Grambole, D., Herrmann, F., Klabes, R., Salomonovic, R., Hulek, Z., Setvak, M.

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High speed scanning electron beam annealing of ion-implanted silicon layers von Schiller, S., Panzer, S., Klabes, R.

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Utilization of Ag:GeSe2 films as inorganic positive resist von Klabes, R., Thomas, A., Kluge, G.

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Applicability of silver implanted amorphous GeSe2 as inorganic negative resist von Kluge, G., Thomas, A., Klabes, R., Süptitz, P.

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Ion-beam induced silver doping in the Ag2Se/GeSe2-resist system von Klabes, R., Beyer, W., Thomas, A., Kluge, G., Süptitz, P., Grötzschel, R.

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Electrical properties of ion implanted and short time annealed polycrystalline silicon von Voelskow, M., Mattthäi, J., Klabes, R.

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Flash lamp annealing of ion implanted silicon von Heinig, K. H., Hohmuth, K., Klabes, R., Voelskow, M., Woittennek, H.

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Dose Dependence of the Flash Lamp Annealing of Arsenic-Implanted Silicon von Panknin, D., Wieser, E., Klabes, R., Syhre, H.

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Laser annealing of arsenic implanted silicon von Krynicki, J., Suski, J., Ugniewski, S., Grötzschel, R., Klabes, R., Kreissig, U., Rüdiger, J.

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High energy ion beam induced Ag diffusion within amorphous Ag:GeSe2 von Kluge, G., Klabes, R., Thomas, A., Grötzschel, R., Süptitz, P.

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Pulsed Incoherent Light Annealing of Arsenic and Phosphorus Implanted Polycrystalline Silicon von Klabes, R., Matthäi, J., Voelskow, M., Mutze, S.

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A description of the laser-induced annealing and diffusion behaviour of implanted silicon crystals von Heinig, K. H., Klabes, R., Woittennek, H.

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Growth of monocrystalline silicon islands on insulating substrates von Scharff, W., Erben, J.-W., Wolf, A., Heber, M., Hamann, C., Weissmantel, C., Klabes, R., Matthäi, J., Voelskov, M., Kögler, R., Wieser, W.

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Investigation of oxygen and fluorine distributions using nuclear reaction analysis at the Rossendorf nuclear muprobe von Grambole, D., Herrmann, F., Klabes, R.

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Recoil implantation from thin surface films on silicon von Grötzschel, R., Klabes, R., Kreissig, U., Schmidt, A.

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