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Nature of the filament formed in HfO2-based resistive random access memory
Veröffentlicht in Thin solid films
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Modeling Transient Negative Capacitance in Steep-Slope FeFETs
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Modeling of Copper Diffusion in Amorphous Aluminum Oxide in CBRAM Memory Stack
Veröffentlicht in ECS transactions
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Ni fully silicided gates for 45nm CMOS applications
Veröffentlicht in Microelectronic engineering
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Modulation of the Schottky Barrier Height for CMOS advanced contacts
Veröffentlicht in Microelectronic engineering
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