-
1
Minority carrier lifetime in p-HgCdTe
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
VolltextArtikel -
2
Hgcdte electron avalanche photodiodes
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
VolltextArtikel -
3
-
4
High-Operating-Temperature MWIR Detector Diodes
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
VolltextArtikel -
5
Junction Stability in Ion-Implanted Mercury Cadmium Telluride
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
VolltextArtikel -
6
Modeling of Copper SIMS Profiles in Thin HgCdTe
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
VolltextArtikel -
7
Noise Attributes of LWIR HDVIP HgCdTe Detectors
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
VolltextArtikel -
8
1/f Noise in HgCdTe Focal-Plane Arrays
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
VolltextArtikel -
9
Growth of very low arsenic-doped HgCdTe
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
VolltextArtikel -
10
-
11
Performance limitations of GaAs/AlGaAs infrared superlattices
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
12
Recent advances in avalanche photodiodes
Veröffentlicht in IEEE journal of selected topics in quantum electronics
VolltextArtikel -
13
-
14
Low-temperature annealing of (Hg, Cd)Te
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
VolltextArtikel -
15
Arsenic-doped mid-wavelength infrared HgCdTe photodiodes
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
VolltextArtikel -
16
FUNDAMENTAL PHYSICS OF INFRARED DETECTOR MATERIALS
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
VolltextArtikel -
17
p to n conversion in SWIR mercury cadmium telluride with ion milling
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
VolltextArtikel -
18
-
19
-
20
Spectral Response Model for Front-Side-Illuminated Detectors
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
VolltextArtikel