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256 Gb 3 b/Cell V-nand Flash Memory With 48 Stacked WL Layers
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
VolltextArtikel -
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A 512-Gb 3-b/Cell 64-Stacked WL 3-D-NAND Flash Memory
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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A 128 Gb 3b/cell V-NAND Flash Memory With 1 Gb/s I/O Rate
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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Characteristic signatures of quantum criticality driven by geometrical frustration
Veröffentlicht in Science advances
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