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256 Gb 3 b/Cell V-nand Flash Memory With 48 Stacked WL Layers
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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A 128 Gb 3b/cell V-NAND Flash Memory With 1 Gb/s I/O Rate
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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Spin-resolved tunneling into an atomic defect in Mo S 2
Veröffentlicht in Physical review. B
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Gate-voltage-induced reversible electrical phase transitions in Mo 0.67 W 0.33 Se 2 devices
Veröffentlicht in Nanoscale
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Effect of Si/Al2 ratios in Mo/H-MCM-22 on methane dehydroaromatization
Veröffentlicht in Applied catalysis. A, General
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