Effect of off-angle of stripe patterns on facet stability and embedding in selective-area hydride vapor phase epitaxy growth von Kim, Fijun, Ikeuchi, Hiroki, Nojima, Kohei, Okada, Narihito, Tadatomo, Kazuyuki

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Polarity inversion from Al to N in AlN growth by MOVPE von Saito, Takahiro, Nakamura, Ryouta, Kim, fijun, Okada, Narihito, Tadatomo, Kazuyuki

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Fabrication of ELO-AlN template and the evaluation of MQW von Saito, Takahiro, Kim, Fijun, Okada, Narihito, Maeda, Noritoshi, Jo, Masafumi, Hirayama, Hideki, Tadatomo, Kazuyuki

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Influence of off angle of stripe-mask on selective area growth and crystalline quality of GaN by hydride vapor phase epitaxy von Kim, Fijun, Ikeuchi, Hiroki, Inomoto, Ryo, Okada, Narihito, Tadatomo, Kazuyuki

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Epitaxial lateral overgrowth of AlN on vicinal sapphire substrate von Saito, Takahiro, Nakamura, Ryouta, Fuzikawa, Sachie, Kim, Fijun, Maeda, Tetutoshi, Okada, Narihito, Hirayama, Hideki, Tadatomo, Kazuyuki

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Stripe orientation dependence for epitaxial lateral over growth of AlN template von Kim, Fijun, Saito, Takahiro, Fujikawa, Sachie, Maeda, Noritoshi, Okada, Narihito, Hirayama, Hideki, Tadatomo, Kazuyuki

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ELO-AlNテンプレートの作製とMQWの評価 von 斉藤, 貴大, 金, 輝俊, 岡田, 成仁, 前田, 哲利, 定, 昌史, 平山, 秀樹, 只友, 一行

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MOVPE成長におけるAlNのAl極性からN極性への極性反転 von 斉藤, 貴大, 中村, 亮太, 金, 輝俊, 岡田, 成仁, 只友, 一行

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微傾斜サファイア基板上AlNの選択横方向成長 von 斉藤, 貴大, 中村, 亮太, 藤川, 紗千恵, 金, 輝俊, 前田, 哲利, 岡田, 成仁, 平山, 秀樹, 只友, 一行

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AlNの選択横方向成長におけるストライプ方位依存性 von 金, 輝俊, 斉藤, 貴大, 藤川, 紗知恵, 前田, 哲利, 岡田, 成仁, 平山, 秀樹, 只友, 一行

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ハイライド気相成長法によるストライプマスクのオフ角がGaNのファセット形状および結晶品質に与える影響 von 金, 輝俊, 池内, 裕紀, 井本, 良, 岡田, 成仁, 只友, 一行

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