Suchergebnisse - Kho Ching Tee, E. | OPAC THWS

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200V superjunction lateral IGBT fabricated on partial SOI von Tee, E. Kho Ching, Hoelke, A., Pilkington, S., Pal, D. K., Antoniou, M., Udrea, F., bin Wan Zainal Abidin, Wan Azlan, Ng Liang Yew

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Compact three-dimensional silicon termination solutions for high voltage SOI SuperJunction von Antoniou, M., Udrea, F., Tee, E. K. C., Pilkington, S., Pal, D. K., Hoelke, A.

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3

Interface charge trapping and hot carrier reliability in high voltage SOI SJ LDMOSFET von Antoniou, M., Udrea, F., Tee, E. K. C., Hao, Y., Pilkington, S., Yaw, K. K., Pal, D. K., Hoelke, A.

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Design of 0.18um high voltage LDMOS for automotive application von Kho Ching Tee, E., Julai, N., Hu Yong Hai, Kumar Pal, D., Tia Swee Hua

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200-V Lateral Superjunction LIGBT on Partial SOI von Kho, E. C. T., Hoelke, A. D., Pilkington, S. J., Pal, D. K., Wan Zainal Abidin, Wan Azlan, Liang Yew Ng, Antoniou, M., Udrea, F.

Veröffentlicht in IEEE electron device letters

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6

The lateral superjunction PSOI LIGBT and LDMOSFET von Antoniou, M., Tee, E. K. C., Pilkington, S. J., Pal, D. K., Udrea, F., Hoelke, Alexander Dietrich

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