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Effect of germanium concentrations on tunnelling current calculation of Si/Si 1-x Ge x /Si heterojunction bipolar transistor
von
Hasanah, L
,
Suhendi, E
,
Khairrurijal
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Journal of physics. Conference series
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Effect of germanium concentrations on tunnelling current calculation of Si/Si1-xGex/Si heterojunction bipolar transistor
von
Hasanah, L
,
Suhendi, E
,
Khairrurijal
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Journal of physics. Conference series
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Effect of Si interface surface roughness to the tunneling current of the Si/Si1-xGex/Si heterojunction bipolar transistor
von
Hasanah, Lilik
,
Suhendi, Endi
,
Tayubi, Yuyu Rahmat
,
Yuwono, Heru
,
Nandiyanto, Asep Bayu Dani
,
Murakami, Hideki
,
Khairrurijal
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4
Effect of Si interface surface roughness to the tunneling current of the Si/Si{sub 1-x}Ge{sub x}/Si heterojunction bipolar transistor
von
Hasanah, Lilik
,
Suhendi, Endi
,
Tayubi, Yuyu Rahmat
,
Yuwono, Heru
,
Nandiyanto, Asep Bayu Dani
,
Murakami, Hideki
,
Khairrurijal
Veröffentlicht in
AIP conference proceedings
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