Recessed-Gate Enhancement-Mode AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors on Si with Record DC Performance von Hahn, Herwig, Lükens, Gerrit, Ketteniss, Nico, Kalisch, Holger, Vescan, Andrei

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Power Performance at 40 GHz on Quaternary Barrier InAlGaN/GaN HEMT von Lecourt, Francois, Agboton, Alain, Ketteniss, Nico, Behmenburg, Hannes, Defrance, Nicolas, Hoel, Virginie, Kalisch, Holger, Vescan, Andrei, Heuken, Michael, De Jaeger, Jean-Claude

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First polarization-engineered compressively strained AlInGaN barrier enhancement-mode MISHFET von Hahn, Herwig, Reuters, Ben, Wille, Ada, Ketteniss, Nico, Benkhelifa, Fouad, Ambacher, Oliver, Kalisch, Holger, Vescan, Andrei

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Processing approaches of AlGaN/GaN Metal Insulator Semiconductor Hetero Field Effect Transistors (MISHFET) on Si (111) substrates von Eickelkamp, Martin, Ketteniß, Nico, Lautensack, Christian, Noculak, Achim, Kalisch, Holger, Jansen, Rolf H., Vescan, Andrei

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Study on growth and electrical performance of double-heterostructure AlGaN/GaN/AlGaN field-effect-transistors von Vescan, Andrei, Hardtdegen, Hilde, Ketteniß, Nico, Eickelkamp, Martin, Noculak, Achim, Goliasch, Jens, Ahe, Martina v. d., Bay, Helge Lago, Schäpers, Thomas, Kalisch, Holger, Grützmacher, Detlev, Jansen, Rolf H.

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Influence of mask material and process parameters on etch angle in a chlorine-based GaN dry etch von Hahn, Herwig, Gruis, Jan Berend, Ketteniss, Nico, Urbain, Felix, Kalisch, Holger, Vescan, Andrei

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Enhancement mode InAlGaN/GaN MISHFETs with plasma-oxidised AlOx/TiOx as gate insulator von Hahn, Herwig, Behmenburg, Hannes, Ketteniss, Nico, Heuken, Michael, Kalisch, Holger, Vescan, Andrei

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Enhancement mode InAlGaN/GaN MISHFETs with plasma‐oxidised AlO x /TiO x as gate insulator von Hahn, Herwig, Behmenburg, Hannes, Ketteniss, Nico, Heuken, Michael, Kalisch, Holger, Vescan, Andrei

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Enhancement mode InAlGaN/GaN MISHFETs with plasma-oxidised AlO sub(x)/TiO sub(x) as gate insulator von Hahn, Herwig, Behmenburg, Hannes, Ketteniss, Nico, Heuken, Michael, Kalisch, Holger, Vescan, Andrei

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On the thermal oxidation of AlInN/AlN/GaN heterostructures von Eickelkamp, Martin, Weingarten, Martin, Rahimzadeh Khoshroo, Lars, Ketteniss, Nico, Behmenburg, Hannes, Heuken, Michael, Kalisch, Holger, Jansen, Rolf H., Vescan, Andrei

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Quaternary nitride enhancement mode HFET with 260 mS/mm and a threshold voltage of +0.5 V von Ketteniss, N., Reuters, B., Hollander, B., Hahn, H., Kalisch, H., Vescan, A.

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GaN-based heterostructure field effect transistors with ternary and quaternary InAl(Ga)N barrier layers von Ketteniß, Nico

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