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Titanium Silicide on Si:P With Precontact Amorphization Implantation Treatment: Contact Resistivity Approaching 1 \times 10^ Ohm-cm2
von
Hao Yu
,
Schaekers, Marc
,
Peter, Anthony
,
Pourtois, Geoffrey
,
Rosseel, Erik
,
Joon-Gon Lee
,
Woo-Bin Song
,
Keo Myoung Shin
,
Everaert, Jean-Luc
,
Soon Aik Chew
,
Demuynck, Steven
,
Daeyong Kim
,
Barla, Kathy
,
Mocuta, Anda
,
Horiguchi, Naoto
,
Thean, Aaron Voon-Yew
,
Collaert, Nadine
,
De Meyer, Kristin
Veröffentlicht in
IEEE transactions on electron devices
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Semiconductor device
von
Park, Sangduk
,
Kim, Hyunji
,
Lee, Yongseok
,
Park, Gigwan
,
Lee, Jeongyun
,
Shin, Keo Myoung
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Integrated circuit device
von
SHIN KEO MYOUNG
,
PARK PAN KWI
,
LEE SEUNG HUN
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SEMICONDUCTOR DEVICE
von
LEE Jeongyun
,
SHIN Keo Myoung
,
PARK Gigwan
,
LEE Yongseok
,
PARK Sangduk
,
KIM Hyunji
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SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING MULTI-CHANNEL AND METHOD OF FORMING THE SAME
von
KEO-MYOUNG SHIN
,
JEONG-YUN LEE
,
JIN-WOOK LEE
,
YONG-SEOK LEE
,
KWANG-YONG YANG
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SEMICONDUCTOR DEVICE
von
KIM, HYUNJI
,
PARK, GIGWAN
,
PARK, SANGDUK
,
SHIN, KEO MYOUNG
,
LEE, YONGSEOK
,
LEE, JEONGYUN
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Semiconductor device having multi-channel and method of forming the same
von
LEE, JIN WOOK
,
SHIN, KEO MYOUNG
,
LEE, YONG SEOK
,
YANG, KWANG YONG
,
LEE, JEONG YUN
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Semiconductor device
von
PARK, SANG DUK
,
SHIN, KEO MYOUNG
,
LEE, YONG SEOK
,
PARK, GI GWAN
,
KIM, HYUN JI
,
LEE, JEONG YUN
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Esp@Cenet
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