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The effects of interfacial sub-oxide transition regions and monolayer level nitridation on tunneling currents in silicon devices
von
Hanyang Yang
,
Numi, H.
,
Keister, J.W.
,
Lucovsky, G.
,
Rowe, J.E.
Veröffentlicht in
IEEE electron device letters
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Barrier layer model determined by XPS data for tunneling current reductions at monolayer nitrided Si-SiO2 interfaces
von
HIRO NIIMI
,
HANYANG YANG
,
LUCOVSKY, Gerald
,
KEISTER, Jeff W
,
ROWE, Jack E
Veröffentlicht in
Applied surface science
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The Thermal Decomposition of Ammonium Meta-Vanadate under Restricted Flow Conditions
von
Brock, Lori R.
,
Keister, Jeff W.
,
France, Michelle
,
Fierro, Nathan
,
DeVore, Thomas C.
Veröffentlicht in
American journal of analytical chemistry
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4
Barrier layer model determined by XPS data for tunneling current reductions at monolayer nitrided Si–SiO 2 interfaces
von
Niimi, Hiro
,
Yang, Hanyang
,
Lucovsky, Gerald
,
Keister, Jeff W
,
Rowe, Jack E
Veröffentlicht in
Applied surface science
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