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Suchergebnisse - Katsiashvili, M.
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A study of an Al-Ge3N4-Ge structure by the method of photo-capacitance-voltage characteristics
von
Dzhanelidze, R. B.
,
Dzhanelidze, M. B.
,
Katsiashvili, M. R.
Veröffentlicht in
Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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Peculiarities of the phase behavior of liquid-crystal mixtures at the Cholesteric → Smectic (Ch → Sm) transition boundary
von
Japaridze, K. G.
,
Élashvili, Z. M.
,
Devadze, L. V.
,
Sepashvili, N. O.
,
Katsiashvili, M. R.
Veröffentlicht in
Crystallography reports
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3
Development of the amorphous, high resistivity Ge:(O,N) films for radiation-hardened MIS device applications
von
Jishiashvili, D.
,
Shiolashvili, Z.
,
Janelidze, R.
,
Gobronidze, V.
,
Kutelia, E.
,
Mosidze, L.
,
Nakhutsrishvili, I.
,
Katsiashvili, M.
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