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    Optimisation and problems of the channel area formed by two ion implantations in NMOS structures/Dviem jonu implantacijomis NMOS nanostrukturose formuojamo kanalo srities optimizavimas ir problemos

    Optimisation and problems of the channel area formed by two ion implantations in NMOS structures/Dviem jonu implantacijomis NMOS nanostrukturose formuojamo kanalo srities optimizav... von Kasauskas, V, Anilionis, R

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    Modeling of structures and characteristics in MOS made of ion implantation technological processes

    Modeling of structures and characteristics in MOS made of ion implantation technological processes von Kasauskas, V, Anilionis, R


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    Simulation of optimization of NMOS structures channel areas technological processes

    Simulation of optimization of NMOS structures channel areas technological processes von Kasauskas, V., Anilionis, R.


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