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6 W InGaAsSb(Gd)/InAsSbP double-heterostructure diode lasers emitting at λ=3.3 μm
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Radiation recombination in InAsSb/InAsSbP double heterostructures
Veröffentlicht in Semiconductor science and technology
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Mid-infrared (3-5 μm) LEDs as sources for gas and liquid sensors
Veröffentlicht in Sensors and actuators. B, Chemical
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Radiation recombination in InAsSb/InAsSbP double heterostructures
Veröffentlicht in Semiconductor science and technology
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Low-threshold long-wave lasers (λ=3.0-3.6 μm) based on III-V alloys
Veröffentlicht in Semiconductor science and technology
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