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Atomic layer deposition of hafnium-based high-k dielectric
von
Lee, Sang-In
,
Owyang, Jon S
,
Senzaki, Yoshihide
,
Helms, Jr, Aubrey L
,
Kapkin, Karem
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Atomic layer deposition of hafnium-based high-k dielectric
von
OWYANG JON S
,
SENZAKI YOSHIHIDE
,
KAPKIN KAREM
,
LEE SANG-IN
,
HELMS, JR. AUBREY L
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After-Treatment Of Single Crystals Or A Homogeneouspolycrystalline Material With Defined Structure
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Apparatus Therefor
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Chemistry
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Coating Material With Metallic Material
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Coating Metallic Material
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Diffusion Treatment Of Metallic Material
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Inhibiting Corrosion Of Metallic Material Or Incrustation Ingeneral
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Metallurgy
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Production Of A Homogeneous Polycrystalline Material Withdefined Structure
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Refining By Zone-Melting Of Material
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Semiconductor Devices
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Single Crystals Or Homogeneous Polycrystalline Material Withdefined Structure
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Single-Crystal-Growth
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Unidirectional Solidification Of Eutectic Material Orunidirectional Demixing Of Eutectoid Material
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Von:
Bis:
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Uspto Issued Patents
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Esp@Cenet
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