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Charge transport mechanism in the forming-free memristor based on silicon nitride
Veröffentlicht in Scientific reports
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Resistance Switching in Polycrystalline C12A7 Electride
Veröffentlicht in Micromachines (Basel)
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Electronic structure and charge transport mechanism in a forming-free SiOx-based memristor
Veröffentlicht in Nanotechnology
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Memristors Based on Many-Layer Non-Stoichiometric Germanosilicate Glass Films
Veröffentlicht in Electronics (Basel)
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Highly-emissive solution-grown furan/phenylene co-oligomer single crystals
Veröffentlicht in RSC advances
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Electrophysical Properties of Polycrystalline C12A7:e− Electride
Veröffentlicht in Electronics (Basel)
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