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Planar, Al0.3Ga0.7As-passivated-base, heterojunction bipolar phototransistors
Veröffentlicht in Applied optics (2004)
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High-speed planar GaAs photoconductors with surface implant layers
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Planar, Al_03Ga_07As-passivated-base, heterojunction bipolar phototransistors
Veröffentlicht in Applied Optics
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