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Laser-induced lateral epitaxy in fully depleted silicon-on-insulator junctions
Veröffentlicht in Applied physics letters
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CMOS shallow-trench-isolation to 50-nm channel widths
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Approaches toward ultralarge FPDs: Flat-panel display technology
Veröffentlicht in Proceedings of the IEEE
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Series resistance of silicided ohmic contacts for nanoelectronics
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Associate editors, guest editors, and reviewers
Veröffentlicht in IEEE transactions on advanced packaging
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Spin-on-glass for 200 nm trench isolation structures
Veröffentlicht in Journal of micromechanics and microengineering
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A new positive novalac-based resist for sub-micron ebeam lithography
Veröffentlicht in Microelectronic engineering
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