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Comparison between the effects of positive noncatastrophic HMB ESD stress in n-channel and p-channel power MOSFET's (human body model electrostatic discharge)
von
ZUPAC, DRAGAN
,
KOSIER, STEVENL
,
SCHRIMPF, RONALDD
,
GALLOWAY, KENNETHF
,
BAUM, KEITHW
Veröffentlicht in
IEEE electron device letters
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